32納米製程

32納米製程是半導體製造製程的一個水平。自2010年開始，英特爾和AMD開始製造32納米的晶片產品。^[1]

32納米的後繼製程是22納米。

具有32納米製程的產品

先前 45納米製程	半導體器件製造製程	其後 22納米製程

半導體器件製造

金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未來 002 nm ~ 2024
電晶體數量互補式金屬氧化物半導體半導體器件（多閘極電晶體）摩爾定律電晶體數量半導體半導體產業納電子學
閱論編