32纳米制程

32纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2010年开始，英特尔和AMD开始制造32纳米的芯片产品。^[1]

32纳米的后继制程是22纳米。

具有32纳米制程的产品

先前 45纳米制程	半导体器件制造制程	其后 22纳米制程

半导体器件制造

金属氧化物半导体场效电晶体
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未来 002 nm ~ 2024
晶体管数量互补式金属氧化物半导体半导体器件（多闸极电晶体）摩尔定律晶体管数量半导体半导体产业纳电子学
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