爾必達儲存器
外觀
美光日本 | |
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Micron Memory Japan | |
1999-2012年 2012年至今 | |
公司類型 | 子公司 |
ISIN | JP3167640006 |
成立 | 1999年12月20日 |
代表人物 | 木下嘉隆(社長) |
總部 | 日本 東京都中央區八重洲2丁目2番1號 |
產業 | 半導體產業 |
產品 | DRAM |
所有權者 | 美光科技 |
母公司 | 美光公司 |
網站 | Micron Technology, Inc. |
爾必達(英語:Elpida Memory, Inc.)是一間日本記憶體公司,成立於1999年,由日立和NEC的記憶體部門合併而成,擁有30nm製程的廣島製造廠以及在台灣的合資企業瑞晶電子。
爾必達在2012年2月破產,同年5月8日,已申請破產保護的爾必達(Elpida)公佈其第二輪競標結果,將與美光(Micron)合併。
2013年7月31日,美國美光科技宣佈,已經完成20億美元收購日本爾必達公司的交易[1]。
歷史
[編輯]- 1999年12月20日,NEC日立記憶體公司成立。
- 2000年5月,NEC日立記憶體改為爾必達記憶體公司。
- 2003年3月,合併了三菱電機的記憶體製造部門。
- 2003年8月,爾必達記憶體公司接受金士頓科技約60億日圓入股。
- 2004年11月,在日本東京證券交易所上市掛牌交易。
- 2006年5月,爾必達記憶體公司公佈的財報顯示爾必達年度銷售收入達到2415億日圓,全球僱員人數3196人。
- 2010年4月3日,爾必達記憶體公司接受金士頓科技185億日圓入股。
- 2010年4月22日,爾必達記憶體公司全球首發採用低功耗40nm技術的4GB DDR3 SDRAM主記憶體顆粒,該技術相比傳統技術主記憶體在功耗上降低達到30%,同時爾必達記憶體公司宣佈將拓展Flash Nand快閃記憶體(閃存)產品。
- 2010年9月2日,爾必達記憶體公司宣佈,與美國飛索半導體(Spansion)合作,研發成功全球首款電荷捕獲型4GB SLC NAND快閃記憶體(閃存),讀取速度較傳統浮動柵極型技術快閃記憶體(閃存)快一倍,寫入速度快15%。
- 2011年2月25日,爾必達在台灣證券交易所掛牌發行台灣存託證書(代碼為916665.TW),為該交易所第一個日商公司TDR。
- 2012年2月27日,爾必達向東京地方法院申請破產保護。日本共同通訊社報導,爾必達的負債達到4810億日圓。[2]
- 2012年3月28日,爾必達在東京證券交易所摘牌。[3]
- 2012年3月28日,爾必達在台灣證券交易所掛牌發行的台灣存託證書下市。
- 2012年5月8日,爾必達公佈其第二輪競標結果,由美光科技(Micron)收購。
- 2014年2月28日,爾必達改為美光記憶體日本(Micron Memory Japan)。
參見
[編輯]參考
[編輯]- ^ 美光20亿美元吞并尔必达移动存储巨头诞生. [2015-01-06]. (原始內容存檔於2015-01-06).
- ^ 日本芯片巨头尔必达申请破产保护. [2015-01-06]. (原始內容存檔於2015-01-06).
- ^ 日本尔必达破产牵动全球内存版图. [2015-01-06]. (原始內容存檔於2015-01-06).