尔必达存储器

美光日本
Micron Memory Japan
1999－2012年 2012年至今
公司类型	子公司
ISIN	JP3167640006
成立	1999年12月20日
代表人物	木下嘉隆（社长）
总部	日本 东京都中央区八重洲2丁目2番1号
产业	半导体产业
产品	DRAM
所有权者	美光科技
母公司	美光公司
网站	Micron Technology, Inc.

尔必达制128MB RDRAM

尔必达（英语：Elpida Memory, Inc.）是一间日本记忆体公司，成立于1999年，由日立和NEC的记忆体部门合并而成，拥有30nm制程的广岛制造厂以及在台湾的合资企业瑞晶电子。

尔必达在2012年2月破产，同年5月8日，已申请破产保护的尔必达（Elpida）公布其第二轮竞标结果，将与美光（Micron）合并。

2013年7月31日，美国美光科技宣布，已经完成20亿美元收购日本尔必达公司的交易。

历史

• 1999年12月20日，NEC日立记忆体公司成立。
• 2000年5月，NEC日立记忆体改为尔必达记忆体公司。
• 2003年3月，合并了三菱电机的记忆体制造部门。
• 2003年8月，尔必达记忆体公司接受金士顿科技约60亿日圆入股。
• 2004年11月，在日本东京证券交易所上市挂牌交易。
• 2006年5月，尔必达记忆体公司公布的财报显示尔必达年度销售收入达到2415亿日圆，全球雇员人数3196人。
• 2010年4月3日，尔必达记忆体公司接受金士顿科技185亿日圆入股。
• 2010年4月22日，尔必达记忆体公司全球首发采用低功耗40nm技术的4GB DDR3 SDRAM内存颗粒，该技术相比传统技术内存在功耗上降低达到30%，同时尔必达记忆体公司宣布将拓展Flash Nand快闪记忆体（闪存）产品。
• 2010年9月2日，尔必达记忆体公司宣布，与美国飞索半导体（Spansion）合作，研发成功全球首款电荷捕获型4GB SLC NAND快闪记忆体（闪存），读取速度较传统浮动栅极型技术快闪记忆体（闪存）快一倍，写入速度快15%。
• 2011年2月25日，尔必达在台湾证券交易所挂牌发行台湾存托凭证（代码为916665.TW），为该交易所第一个日商公司TDR。
• 2012年2月27日，尔必达向东京地方法院申请破产保护。日本共同通讯社报导，尔必达的负债达到4810亿日圆。
• 2012年3月28日，尔必达在东京证券交易所摘牌。
• 2012年3月28日，尔必达在台湾证券交易所挂牌发行的台湾存托凭证下市。
• 2012年5月8日，尔必达公布其第二轮竞标结果，由美光科技（Micron）收购。
• 2014年2月28日，尔必达改为美光记忆体日本（Micron Memory Japan）。

参见

• 瑞萨科技
• 兆基科技 - 坂本幸雄

外部链接

• Elpida 启示录：被卖了，还帮忙数钱的经典案例 （页面存档备份，存于互联网档案馆）