22奈米製程

22奈米製程是半導體製造製程的一個等級。自2012年4月開始22奈米的消費級CPU產品推出。^[1]

相比先前的製程，自22奈米製程開始，溝道長度不再成為最為重要的因素。

台積電研發出了20nmFinFET製程後，將其更名為16nm製程；比較Apple A9晶片的表現，台積電16nm的省電性，確實明顯優於三星的14nm。

22奈米的後繼製程是14奈米。

參考文獻

先前 32奈米製程	半導體器件製造製程	其後 14奈米製程

半導體器件製造

金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未來 002 nm ~ 2024
電晶體數量互補式金屬氧化物半導體半導體器件（多閘極電晶體）摩爾定律電晶體數量半導體半導體產業納電子學
閱論編