一硒化鍺
| 一硒化鍺 | |
|---|---|
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| IUPAC名 Germanium selenide | |
| 別名 | 硒化鍺(II) 硒化亞鍺 |
| 識別 | |
| CAS號 | 12065-10-0 
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| PubChem | 12049114 |
| SMILES |
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| 性質 | |
| 化學式 | GeSe |
| 莫耳質量 | 151.57 g/mol g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 黑色固體 |
| 密度 | 5.56 g/cm3 |
| 熔點 | 667 °C（940 K）（分解） |
| 能隙 | 1.07 eV (indirect) [1] eV |
| 折光度n D |
2.5 |
| 結構 | |
| 晶體結構 | 正交晶系 |
| 空間群 | Pnma |
| 相關物質[2] | |
| 其他陰離子 | 一硫化鍺 一碲化鍺 |
| 其他陽離子 | 硒化鉛 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
一硒化鍺是一種無機化合物，化學式為GeSe。它是一種黑色晶體，為正交晶系 （錯位的NaCl構型）。在 ~650 °C的溫度下，硒化鍺的晶體結構會轉變成 NaCl 的立方晶系。[3]
為了生長GeSe晶體，GeSe粉末會在密封安瓿瓶的熱端蒸發，並在冷端冷凝。通常硒化鍺的晶體很小，並且顯示出不規則生長的跡象。這主要是由氣態介質中的對流運動引起的。但是，在天空實驗室計劃上，零重力和對流減少的條件下生長的GeSe會比在地球生長的硒化鍺晶體大大約10倍，並且沒有肉眼可見的缺陷。 [4][5]
參考資料
[編輯]- ^ R. Eymard and A. Otto; et al. Optical and electron-energy-loss spectroscopy of GeS, GeSe, SnS, and SnSe single crystals. Physical Review B. 977. doi:10.1103/PhysRevB.16.1616
.
- ^ GeSe at webelements
- ^ Wiedemeier H., Siemers P.A. The Thermal Expansion and High Temperature Transformation of GeSe. Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie. 1975, 411: 90–96. doi:10.1002/zaac.19754110110.
- ^ SP-400 Skylab, Our First Space Station. NASA. [2009-06-06]. （原始內容存檔於2021-06-14）.
- ^ H. Wiedemeier; et al. Crystal growth and transport rates of GeSe and GeTe in micro-gravity environment. Journal of Crystal Growth. 1975, 31: 36. doi:10.1016/0022-0248(75)90107-4.
