二次離子質譜

二次離子質譜

舊磁性扇區SIMS，型號IMS 3f，由模型4f，5f，6f，7f以及最近的7f-Auto，由製造商CAMECA於2013年推出。
英文縮寫	SIMS
分類	質譜法
分析對象	固體表面，薄膜
其它技術
其它技術	快速原子轟擊 Microprobe

二次離子質譜（英語：Secondary Ion Mass Spectroscopy, SIMS）是用來分析固體表面或者是薄膜的化學成分的技術，其用一束聚焦的離子束濺射待測品表面，並通過檢測轟擊出的二次離子的荷質比確定距表面深度1-2納米厚的薄層的元素、同位素與分子的組成。 它是用m，Xe等惰性氣體電離產生重離子來轟擊樣品表面，把打出試樣的碎片連同轟擊時彈射出去的原激發離子一同送入質譜計，進行質量分離與檢測，最後得到質譜。它的原理除了採用離子槍轟擊激發以外，其餘與質譜儀完全相同。SIMS一般採用四極質譜計，因為它結構簡單，而且體積較小。但是它檢測的相對分子質量範圍僅限於幾千以下。SIMS是一種非常靈敏的表面分析方法，它在有機高分子分析方面的應用近年來獲得迅速的發展。現代的綜合能譜儀上常附有SIMS的裝置。

儀器

二次離子質譜儀包括（1）產生初級離子束的初級離子槍，（2）初級離子柱，將光束加速並聚焦到樣品上（並且在一些裝置中有機會通過以下方式分離初級離子物質：維恩過濾或脈衝光束），（3）高真空樣品室，保持樣品和二次離子提取透鏡，（4）質量分析器根據質荷比分離離子，和（5）探測器。