浮體效應

浮體效應（英語：Floating body effect）是在SOI技術中實現的晶體管與體勢（body potential）相關的效應。晶體管在絕緣體層上形成一個電容。這個電容上聚集的電荷可能會產生負面效應，例如，開啟結構上的寄生晶體管和關態泄漏電流（off-state leakages），造成更高的電流消耗，以防動態隨機存取存儲器丟失信息。它也造成歷史效應（英語：history effect），即晶體管與之前狀態閾值電壓有關的效應。在模擬電路器件中，浮體效應被稱作扭結效應（英語：Kink effect）。