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过渡金属二硫属化物单层

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(a) 六角形TMD单层结构。 M 原子为黑色,X 原子为黄色。 (b) 从上方看到的六角形TMD单层。

过渡金属二硫属化物TMDTMDC单层材料是MX2类型的原子层半导体材料薄膜,其中M是过渡金属原子,包括(Mo)、(W)等,X是硫族原子,包括(S)、(Se)、(Te)。一层M原子夹在两层X原子之间,即构成该二维材料。与第一行过渡金属二硫化物相比,这些材料的关键特征是二维结构中大原子间的相互,WTe2表现出反常的巨磁阻超导性[1]

而WSe2作为一种二维材料,广泛应用于电子器件、光电器件、能源存储与转换以及传感器等领域,具有优异的电子、光学和催化性能。[2]

参考文献

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  1. ^ Eftekhari, A. Tungsten dichalcogenides (WS2, WSe2, and WTe2): materials chemistry and applications. Journal of Materials Chemistry A. 2017, 5 (35): 18299–18325. doi:10.1039/C7TA04268J. 
  2. ^ Chen, Sihan; Zhang, Yue; King, William P.; Bashir, Rashid; van der Zande, Arend M. Edge‐Passivated Monolayer WSe2 Nanoribbon Transistors. Advanced Materials. 2024-07-18. ISSN 0935-9648. doi:10.1002/adma.202313694.