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File:Rtd seq v3.gif

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Rtd_seq_v3.gif （453 × 362 像素，檔案大小：73 KB，MIME 類型：image/gif、​循環、​40 畫格、​10秒）

摘要

描述
English: A working mechanism of a Resonant Tunneling Diode device and negative differential resistance in output characteristic. Notice the negative resistance characteristic after the first current peak due to reduction of first energy level below source fermi level with gate bias.
日期
來源 Tool:Resonant Tunneling Diode Simulation with NEGF simulator on www.nanoHUB.org. Link: http://nanohub.org/resources/8799
作者 Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck
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2010年2月2日 (二) 01:15於 2010年2月2日 (二) 01:15 版本的縮圖453 × 362（354 KB）Beatnik8983{{Information |Description={{en|1=A working mechanism of a Resonant Tunneling Diode device and negative differential resistance in output characteristic. Notice the negative resistance characteristic after the first current peak due to reduction of first

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